用“芯”点亮未来!英诺赛科苏州第三代半导体基地设备正式搬入
搜狐科技 · 2020-09-20 01:27:59 · 热度:加载中...

原标题:用“芯”点亮未来!英诺赛科苏州第三代半导体基地设备正式搬入

集微网消息,2020年9月19日上午,英诺赛科苏州第三代半导体基地举行设备搬入仪式。

苏州市委市政府领导、吴江区委书记李铭、吴江区委副书记、区人民政府代区长王国荣、吴江区委常委、汾湖高新区党工委书记万利、吴江区人民政府副区长、汾湖高新区党工委副书记、管委会主任张炳高等来自苏州、吴江、汾湖各相关部门的领导同志和第三代半导体市场的主要客户、重要设备厂商、资深投资人共150位嘉宾出席了仪式。

据了解,本次搬入的是国际领先的全自动系统,其行星式反应器平台为目前全球最先进的五片 8英寸硅基氮化镓生产专业设备,具有极其稳定的工艺流程、高效的实时清洁系统以及对提高良率至关重要的卡匣式装卸装置。

随着设备的搬入,标志着作为中国“芯”动力的英诺赛科苏州第三代半导体基地进入试生产阶段,也标志着全球最大氮化镓工厂正式建设完成。

据了解,英诺赛科苏州第三代半导体基地位于江苏省苏州市吴江区汾湖高新区,总占地24.5万平方米,属于江苏省重点项目。

英诺赛科表示,该项目建成后将成为全球最大的集研发、设计、外延生产、芯片制造、封装测试等于一体的第三代半导体全产业链研发生产平台,满产后将实现月产8英寸硅基氮化镓晶圆65000片。

此外,据了解项目将聚焦在氮化镓等核心产品,目标是打造一个包括理论研究、材料研发与制造、器件设计、芯片制造、封装测试、失效分析和应用验证等全产业链半导体研发基地。为5G移动通信、新能源汽车、高速列车、电子信息、能源互联网等产业的自主创新发展和其他转型升级行业提供核心电子元器件。

英诺赛科(苏州)半导体有限公司总经理孙在亨先生表示,今天的仪式标志着我们产能爬升的开始,也是氮化镓芯片产品市场开拓的起点。“氮化镓以其更快的速度,更高的频率,更高的功率密度和更低的能耗将会为未来的科技发展带来核心的技术方案,它的产业化发展将会重新定义我们未来世界的产品。”

国家集成电路产业投资基金总裁丁文武在演讲中表示,中国集成电路产业在国家的支持下实现了长足的发展。不过,我国在产业规模,人才储备等方面与国外还有着一定的差距。以氮化镓为代表的第三代半导体有着广阔的市场空间,我们应当以此为契机,实现相关领域的自主可控。

据了解,英诺赛科于2015年底成立。作为全球领先的硅基氮化镓功率器件制造商,英诺赛科采用集研发、设计、外延生产、芯片制造、封装测试为一体的IDM模式,全产业链技术自主可控。

目前,英诺赛科已经形成了自主可控核心技术,并已申请290余项国内外核心专利。依托IDM产业化模式及其首创的8英寸硅基氮化镓功率与射频器件量产线,英诺赛科在高性能、低成本、高可靠性等方面具有显著优势。

英诺赛科已经和下游的几家封装企业建立合作关系,并与上海、江苏、浙江上游端的IC设计公司等密切合作,尤其在快充领域,英诺赛科“InnoGaN”氮化镓功率器件已被魅族、努比亚、ROCK、飞频、Lapo等多个品牌采用。

接下来,英诺赛科将借助长三角的半导体产业基础,与区域内更多企业开放合作,形成跨区域的产业链集群。

正如英诺赛科创始人兼董事长骆薇薇博士所言:背靠国内首个大规模第三代宽禁带半导体制造基地,英诺赛科会继续坚持为中国芯、中国半导体的崛起而奋斗。(校对/小山)返回搜狐,查看更多

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